上海华力请求8管2端口静态随机存取存储器制作办法专利可调整读端口读电流凹凸及读速度快慢

  金融界2025年8月9日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海华力集成电路制作有限公司请求一项名为“8管2端口静态随机存取存储器的制作办法”的专利，公开号CN120456545A，请求日期为2024年02月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种8管2端口静态随机存取存储器的制作办法，芯片存储器区域内的6个晶体管的N LDD工艺运用本来的存储单元N LDD光罩及存储单元P LDD光罩,将读端口的N晶体管从本来的存储单元N LDD光罩分离出来,不运用本来的存储单元N LDD光罩做N离子注入，转至运用逻辑器材N场效应管阈值电压调整光罩,在进行芯片逻辑区域内的逻辑器材的LDD的一起，翻开读端口的N晶体管的源漏区进行离子注入，完结读端口的N晶体管的N LDD工艺,用来调整读端口的N晶体管的阈值电压Vt及源漏导通电流Ids,然后可以调整读端口的读电流的凹凸及读速度的快慢，而且不可能影响到存储单元内部6TSRAM的读取写入平衡,不需要额定添加光罩，不要添加制程过程。

  天眼查资料显现，上海华力集成电路制作有限公司，成立于2016年，坐落上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。经过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制作有限公司参加招投标项目2081次，专利信息2375条，此外企业还具有行政许可344个。