意法半导体请求用来制作高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路专利描绘了用来制作高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路

  金融界2025年8月15日音讯，国家知识产权局信息数据显现，意法半导体（鲁塞）公司请求一项名为“用来制作高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路”的专利，公开号CN120500046A，请求日期为2020年03月。

  专利摘要显现，本文描绘了用来制作高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路。半导体衬底具有带有榜首电介质区域的正面。电容性元件在正面处的榜首电介质区域的表面上包含层堆叠，该层堆叠包含榜首导电区域、第二导电区域和第三导电区域。第二导电区域经过第二电介质区域与榜首导电区域电绝缘。第二导电区域进一步经过第三电介质区域与第三导电区域电绝缘。榜首导电区域和第三导电区域构成电容性元件的一个板，而且第二导电区域构成电容性元件的另一板。