上海集成电路制作立异中心请求一种 SRAM 结构专利能大幅度削减器材所占总面积

  金融界 2024 年 11 月 22 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海集成电路制作立异中心有限公司请求一项名为“一种 SRAM 结构”的专利，公开号 CN 118984590 A，请求日期为 2024 年 8 月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种 SRAM 结构，包含：设于衬底表面上的 SRAM 位单元；所述 SRAM 位单元设有作为上拉晶体管的榜首晶体管和第二晶体管，作为下拉晶体管的第三晶体管和第四晶体管，以及作为传输门晶体管的第五晶体管和第六晶体管；所述第五晶体管和所述第六晶体管设于所述衬底的表面上；所述榜首晶体管和所述第三晶体管笔直堆叠于所述衬底的表面上，并构成榜首互补场效应晶体管；所述第二晶体管和所述第四晶体管笔直堆叠于所述衬底的表面上，并构成第二互补场效应晶体管。本发明经过构成立异的 CFET SRAM 结构，能大幅度削减器材所占的总面积，明显提高电路的集成度。

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